CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
1 903Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
3 472Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 22.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
10 990Oczekiwane: 09.07.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC