SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs are fourth-generation MOSFETs that provide low on-resistance and improved short-circuit withstand time. These MOSFETs feature 1200V VDS, fast switching speed, 4.7mm minimum creepage distance, and fast recovery time. The SCT40xKWA MOSFETs are RoHS compliant and simple to drive. Typical applications include induction heating, DC-DC converters, solar inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Maksymalna temperatura robocza
Tryb kanału
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Karta charakterystyki
796Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement