VSMA1085750X02

Vishay Semiconductors
78-VSMA1085750X02
VSMA1085750X02

Produc.:

Opis:
Infrared Emitters HIPOW IR EMITTING DIODE 940NM -E3

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 677

Stany magazynowe:
677 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
11,22 zł 11,22 zł
8,17 zł 81,70 zł
6,36 zł 636,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 600)
5,42 zł 3 252,00 zł
4,90 zł 5 880,00 zł
4,69 zł 11 256,00 zł
4,64 zł 22 272,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Nadajniki podczerwieni
RoHS:  
SMD/SMT
850 nm
1600 mW/sr
1 A, 1.5 A
3.9 V
- 40 C
+ 125 C
3.4 mm x 3.4 mm
Reel
Cut Tape
Marka: Vishay Semiconductors
Czas zanikania: 16 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: IR Emitters (IR LEDs)
Czas narastania: 13 ns
Seria: VSM
Wielkość opakowania producenta: 600
Podkategoria: Infrared Data Communications
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541410000
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
854141000
MXHTS:
8541410100
ECCN:
EAR99

VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode

Vishay VSMA1085750X02 High Power Infrared Emitting Diode is part of the Astral portfolio. Vishay VSMA1085750X02 is an 850nm infrared emitting diode with a double stack emitter chip for maximum radiant power. The device has a 42-millimeter chip size, allows 1.5A DC operation, and accommodates pulsed currents up to 5.0A.