Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 12.21 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-VMJD010N10MCLTWG

Nr prod.:

NVMJD010N10MCLTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPA

Karta charakterystyki:

NVMJD010N10MCLTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMJD010N10MCLTWG

Na stanie magazynowym: 2 297

Stany magazynowe:: 2 297 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	12,21 zł	12,21 zł
	7,91 zł	79,10 zł
	5,81 zł	581,00 zł
	4,90 zł	2 450,00 zł
	4,64 zł	4 640,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,21 zł	12 630,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	62 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	10 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	26.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	84 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	28 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	61 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	32 ns
Seria:	NVMJD010N10MCL
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	68 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMJD010N10MCLTWG Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMJD010N10MCL Power MOSFET

onsemi NVMJD010N10MCL Power MOSFET is a dual, N-Channel MOSFET designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. This power MOSFET operates at 100V drain-to-source voltage, 10mΩ drain resistance, and 62A continuous drain current. The NVMJD010N10MCL MOSFET features low total gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET comes in a 5mm x 6mm flat lead package and is an AEC-Q101-qualified MOSFET. The device is Pb-free, halogen-free/BFR-free, Beryllium-free, and RoHS-compliant. This power MOSFET is ideal for solenoid drivers low side/high side drivers, automotive engine controllers, and antilock braking systems.