1ED44173N01BXTSA1

Infineon Technologies
726-1ED44173N01BXTSA
1ED44173N01BXTSA1

Produc.:

Opis:
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 659

Stany magazynowe:
1 659
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
3 000
Oczekiwane: 23.04.2026
Średni czas produkcji:
26
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2,77 zł 2,77 zł
1,98 zł 19,80 zł
1,78 zł 44,50 zł
1,57 zł 157,00 zł
1,46 zł 365,00 zł
1,39 zł 695,00 zł
1,28 zł 1 280,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,24 zł 3 720,00 zł
1,23 zł 7 380,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOT-23-6
1 Driver
1 Output
2.6 A
8.6 V
20 V
5 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marka: Infineon Technologies
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Nazwy umowne nr części: 1ED44173N01B SP003252784
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

1ED44173N01B Non-Inverting Gate Driver

Infineon 1ED44173N01B Non-Inverting Gate Driver is a low-voltage, power MOSFET non-inverting gate driver with overcurrent protection (OCP). Proprietary latch-immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output. The output driver features a current buffer stage. The Infineon 1ED44173N01B has an OCP pin for over-current protection sense and a FAULT status output (once it is active, the EN/FLT pin is internally pulled down). The EN/FLT needs to be outside and pulled up to provide normal operation, pulling EN/FLT low disable the driver. Internal circuitry on the VCC pin provides under-voltage lockout protection that holds output low until the VCC supply voltage is within the operating range.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.