Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FF900R12ME7B11NPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7B11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7B11N1
Price: 931.47 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FF900R12ME7B11N1

Nr prod.:

FF900R12ME7B11NPSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module

Karta charakterystyki:

FF900R12ME7B11NPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FF900R12ME7B11NPSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 20

Oczekiwane: 28.04.2026
Średni czas produkcji:: 14

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	931,47 zł	931,47 zł
	793,87 zł	7 938,70 zł
100	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:	N
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguracja:	Dual
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.5 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	900 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	Infineon Technologies
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	Si
Nazwa handlowa:	EconoDUAL
Nazwy umowne nr części:	FF900R12ME7_B11 SP005422550

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FF900R12ME7B11NPSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Podwójny moduł IGBT FF900R12ME7_B11

Podwójny moduł IGBT FF900R12ME7_B11 firmy Infineon Technologies obejmuje moduł EconoDUAL™ 3, podwójny moduł IGBT7 TRENCHSTOP™ i termistor NTC oraz wykorzystuje technologię styków PressFIT. Moduł IGBT charakteryzuje się wysoką gęstością mocy, ulepszonymi zaciskami i zintegrowanym czujnikiem temperatury NTC. Moduł FF900R12ME7_B11 charakteryzuje się łatwym i niezawodnym montażem oraz pozwala uniknąć równoległego łączenia modułów IGBT. Ten moduł IGBT może być przechowywany w temperaturze od –40°C do 125°C. Moduł FF900R12ME7_B11 oferuje zoptymalizowaną drogę upływu w zastosowaniach fotowoltaicznych 1500 V, styki sterujące PressFIT i przykręcane zaciski zasilania. Ten moduł IGBT nadaje się idealnie do stosowania w urządzeniach sterujących silnikami, rozwiązaniach dla systemów energii słonecznej, serwonapędach i systemach zasilania awaryjnego (UPS).

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.