Wyniki: 576
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie

IXYS IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
Karta charakterystyki
192Na stanie magazynowym
270Oczekiwane: 11.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C IXGH30N60 Tube

IXYS IGBTs 75Amps 1200V
Karta charakterystyki
38Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Karta charakterystyki
184Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 11.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS IGBTs 72 Amps 600V 1.35 Rds
Karta charakterystyki
247Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH72N60 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 21.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C IXGP12N120 Tube
IXYS IGBTs TO220 600V 48A GENX3
Karta charakterystyki
311Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 20 Amps 1700 V 4 V Rds
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGT72N60 Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 150A XPT
Karta charakterystyki
133Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 30A XPT
Karta charakterystyki
158Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 30A
Karta charakterystyki
146Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs TO247 1700V 16A IGBT
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Karta charakterystyki
217Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Karta charakterystyki
66Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Karta charakterystyki
108Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 16.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 90 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 55A XPT
Karta charakterystyki
67Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Karta charakterystyki
350Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Karta charakterystyki
265Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 7 Tube
IXYS IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBTs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Karta charakterystyki
58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 78 A 325 W - 40 C + 125 C IXA45IF1200HB Tube

IXYS IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
Karta charakterystyki
59Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS IGBTs 120 Amps 600V
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 200 A 780 W - 55 C + 150 C IXGX120N60 Tube