HN1x Bipolar Transistors

Toshiba HN1x Bipolar Transistors are AEC-Q101 qualified and optimized for low-frequency amplifier applications. The HN1x Bipolar Transistors feature high voltage, high collector current, and an excellent hFE linearity. The devices are offered in a small SOT-363 (US6) package.

Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Maksymalna temperatura robocza Kwalifikacje Opakowanie
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 772Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 762Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 700Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6 250Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 658Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2 420Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 18.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 962Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1 254Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4 629Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7 757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel