DMP3014SFDE 30V P-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch Enhancement Mode MOSFETs offer low on-resistance and gate threshold voltage, while maintaining superior switching performance. The devices are ideal for high-efficiency power-management applications. The Diodes Inc. DMP3014SFDE MOSFETs are available in a U-DFN2020-6 package.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K 3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K 24 918Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel