DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI010N03PW N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance, a low gate charge (25nC typical), and fast switching times with an Avalanche rating. With a wide -55°C to +150°C junction temperature range, these components offer a 30V drain-source voltage, 1.4W power dissipation, and 20mJ single pulse avalanche energy. The QFN2x2 packaged DI010N03PW MOSFETs are for DC/DC converters, load switches, power management units, battery-powered devices, and commercial/industrial-grade applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
Karta charakterystyki
4 075Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 DI010N03PW-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
Karta charakterystyki
6 800Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement DI010N03PW Reel, Cut Tape, MouseReel