Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Name: onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-TFS5826NLWFTWGUM
Price: 5.76 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-TFS5826NLWFTWGUM

Nr prod.:

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVTFS5826NLWFTWG-UM Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 5 000

Oczekiwane: 31.03.2027
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,76 zł	5,76 zł
	3,64 zł	36,40 zł
	2,43 zł	243,00 zł
	1,91 zł	955,00 zł
	1,68 zł	1 680,00 zł
	1,66 zł	4 150,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	1,57 zł	7 850,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WDFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	24 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	16 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	22 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	21 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	8 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	29 ns
Seria:	NVTFS5826NL
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVTFS5826NLWFTWG-UM Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi Single P-Channel Power MOSFETs offer a small footprint for compact designs, low R_DS(on) to minimize conduction losses, and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. onsemi Single P-Channel Power MOSFETs are lead−free and are suitable for automotive and other applications requiring AEC−Q101 qualified site and change controls.