Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

AGT4350R-HF

Name: Comchip Technology AGT4350R-HF
Brand: Comchip Technology
SKU: 750-AGT4350R-HF
Price: 0.79 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

750-AGT4350R-HF

Nr prod.:

AGT4350R-HF

Produc.:

Comchip Technology

Opis:

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 3A 50V SOT-223

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

AGT4350R-HF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Comchip Technology AGT4350R-HF

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 4000 Wielokrotności: 4000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)
	0,796 zł	3 184,00 zł
	0,753 zł	6 024,00 zł
	0,71 zł	17 040,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Comchip Technology
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-223-4
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	50 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	50 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	370 mV
Pd – strata mocy:	1.15 W
Wzmacniacze GBP fT:	100 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	AGT43
Opakowanie:	Reel
Marka:	Comchip Technology
Ciągły prąd kolektora:	3 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	100 at 3 A, 2 V
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	4000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AGT4350R-HF Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor

Comchip Technology AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor features AEC-Q101 qualification along with low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat) and corresponding low R_CE(sat). This RoHS device is constructed with a molded plastic SOT-223 case with reduced heat generation for improved efficiency. Additional features include high collector current capability, high collector current gain, and both an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C. Comchip Technology AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor is halogen free and comes with tin-plated terminals.