Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 2.14 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

583-RM2312-T

Nr prod.:

RM2312-T

Produc.:

Rectron

Opis:

MOSFETs

Karta charakterystyki:

RM2312-T Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Rectron RM2312-T

Na stanie magazynowym: 2 404

Stany magazynowe:: 2 404 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,14 zł	2,14 zł
	1,58 zł	15,80 zł
	0,894 zł	89,40 zł
	0,602 zł	301,00 zł
	0,46 zł	460,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,404 zł	1 212,00 zł
	0,348 zł	2 088,00 zł
	0,323 zł	2 907,00 zł
	0,288 zł	6 912,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Rectron
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT23-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	33 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	500 mV
Qg – ładunek bramki:	10 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Rectron
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	28 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	10 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RM2312-T Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.