Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 23.82 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Nr prod.:

SIJK5100E-T1-GE3

Produc.:

Vishay

Opis:

MOSFETs PWRPK 100V 417A

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SIJK5100E-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay SIJK5100E-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 4 359

Stany magazynowe:: 4 359 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	23,82 zł	23,82 zł
	16,30 zł	163,00 zł
	11,91 zł	1 191,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	10,11 zł	15 165,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-16
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	417 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	131 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	536 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Vishay
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	35 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	245 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Seria:	SIJK5100E
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	54 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	41 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIJK5100E-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.