Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 30 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.5 V 30 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray