BGA855N6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA855N6E6327XTS
BGA855N6E6327XTSA1

Produc.:

Opis:
RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 12000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
2,33 zł 2,33 zł
1,64 zł 16,40 zł
1,47 zł 36,75 zł
1,28 zł 128,00 zł
1,20 zł 300,00 zł
1,14 zł 570,00 zł
1,05 zł 1 050,00 zł
1,02 zł 4 080,00 zł
0,993 zł 7 944,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 12000)
0,993 zł 11 916,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
1.164 GHz to 1.3 GHz
1.1 V to 3.3 V
4.4 mA
17.6 dB
0.6 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 14 dBm
1 dBm
- 40 C
+ 85 C
BGA855N6
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Tłumienność odbicia wejścia: 11 dB
Izolacja dB: 22 dB
Liczba kanałów: 1 Channel
Pd – strata mocy: 60 mW
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 12000
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Częstotliwość testowa: 1.214 GHz
Nazwy umowne nr części: BGA 855N6 E6327 SP002337750
Jednostka masy: 0,830 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

Niskoszumowy wzmacniacz RF BGA855N6

Niskoszumowy wzmacniacz RF BGA855N6 firmy Infineon Technologies zwiększa czułość sygnału GNSS w zastosowaniach w paśmie L, w zakresie częstotliwości od 1164 MHz do 1300 MHz. Ten wzmacniacz obsługuje pasma GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3 oraz B2. Wzmacniacz BGA855N6 charakteryzuje się wzmocnieniem wnoszonym na poziomie 17,8 dB, niskim poborem prądu, wysoką liniowością, wewnętrznie dopasowanym wyjściem RF i wysoką dokładnością. Wysoka liniowość wzmacniacza BGA855N6 gwarantuje najlepszą czułość podczas pracy w konfiguracjach 4G i 5G NSA. Wzmacniacz ten wykorzystuje technologię krzemu i germanu B9HF firmy Infineon Technologies i współpracuje z napięciem zasilania od 1,1 V do 3,3 V.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.