Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 2.28 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-BGA855N6E6327XTS

Nr prod.:

BGA855N6E6327XTSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

Karta charakterystyki:

BGA855N6E6327XTSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies BGA855N6E6327XTSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 23 750

Oczekiwane: 04.03.2027
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 12000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,28 zł	2,28 zł
	1,60 zł	16,00 zł
	1,33 zł	33,25 zł
	1,21 zł	121,00 zł
	1,13 zł	282,50 zł
	1,09 zł	545,00 zł
	1,06 zł	1 060,00 zł
	1,04 zł	2 600,00 zł
	0,97 zł	4 850,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 12000)
	0,97 zł	11 640,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Wzmacniacz RF
RoHS:
Częstotliwość robocza:	1.164 GHz to 1.3 GHz
Napięcie robocze zasilania:	1.1 V to 3.3 V
Prąd roboczy zasilania:	4.4 mA
Wzmocnienie:	17.6 dB
NF – współczynnik szumów:	0.6 dB
Rodzaj:	Low Noise Amplifiers
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSNP-6
Technologia:	SiGe
P1dB – Punkt kompresji :	- 14 dBm
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu:	1 dBm
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Seria:	BGA855N6
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	DE
Tłumienność odbicia wejścia:	11 dB
Izolacja dB:	22 dB
Liczba kanałów:	1 Channel
Pd – strata mocy:	60 mW
Rodzaj produktu:	RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta:	12000
Podkategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits
Częstotliwość testowa:	1.214 GHz
Nazwy umowne nr części:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
Jednostka masy:	0,830 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BGA855N6E6327XTSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

Niskoszumowy wzmacniacz RF BGA855N6

Niskoszumowy wzmacniacz RF BGA855N6 firmy Infineon Technologies zwiększa czułość sygnału GNSS w zastosowaniach w paśmie L, w zakresie częstotliwości od 1164 MHz do 1300 MHz. Ten wzmacniacz obsługuje pasma GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3 oraz B2. Wzmacniacz BGA855N6 charakteryzuje się wzmocnieniem wnoszonym na poziomie 17,8 dB, niskim poborem prądu, wysoką liniowością, wewnętrznie dopasowanym wyjściem RF i wysoką dokładnością. Wysoka liniowość wzmacniacza BGA855N6 gwarantuje najlepszą czułość podczas pracy w konfiguracjach 4G i 5G NSA. Wzmacniacz ten wykorzystuje technologię krzemu i germanu B9HF firmy Infineon Technologies i współpracuje z napięciem zasilania od 1,1 V do 3,3 V.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.