Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 43.97 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-SCT4045DWAHRTL

Nr prod.:

SCT4045DWAHRTL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC

Karta charakterystyki:

SCT4045DWAHRTL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL

Na stanie magazynowym: 1 996

Stany magazynowe:: 1 996 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	43,97 zł	43,97 zł
	30,49 zł	304,90 zł
	24,11 zł	2 411,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	22,81 zł	22 810,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	750 V
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	59 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 21 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	63 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	93 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	9.3 S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	16 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	27 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.1 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT4045DWAHRTL Karta charakterystyki

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Tajlandia
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is an automotive-grade device engineered for high-efficiency and high-reliability applications in harsh environments. With a drain-source voltage rating of 750V and a continuous drain current of 31A (at +25°C per chip), this dual MOSFET device offers a typical on-resistance of just 45mΩ per channel, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. Packaged in a compact TO-263-7LA configuration, the ROHM SCT4045DWAHR supports high-density designs and efficient thermal management.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.