CUHS10F60,H3F

Toshiba
757-CUHS10F60H3F
CUHS10F60,H3F

Produc.:

Opis:
Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Toshiba CUHS10F60,H3F

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
5 981
Oczekiwane: 02.03.2026
Średni czas produkcji:
14
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
0,925 zł 0,93 zł
0,778 zł 7,78 zł
0,52 zł 52,00 zł
0,387 zł 193,50 zł
0,34 zł 340,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,232 zł 696,00 zł
0,224 zł 1 344,00 zł
0,206 zł 1 854,00 zł
0,202 zł 4 848,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Toshiba
Kategoria produktów: Prostowniki i diody Schottky'ego
RoHS:  
Single
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Rodzaj produktu: Schottky Diodes & Rectifiers
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Jednostka masy: 5,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.