Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 24.98 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK110Z65ZS1F

Nr prod.:

TK110Z65Z,S1F

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Karta charakterystyki:

TK110Z65Z,S1F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TK110Z65Z,S1F

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 40
Średni czas produkcji:: 21

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	24,98 zł	24,98 zł
	14,71 zł	147,10 zł
	12,26 zł	1 226,00 zł
	10,97 zł	5 485,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	110 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	40 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	190 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Wielkość opakowania producenta:	25
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	90 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	45 ns
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TK110Z65Z,S1F Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET

Toshiba TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET features a low 0.092Ω (typical) drain-source on-resistance, high-speed switching properties, and low capacitance. The TK110Z65Z also features an enhancement mode making it ideal for use in switching power supply applications.