3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Karta charakterystyki
631Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-72-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Bulk
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems MOSFETs SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 mA 250 Ohms - 6.5 V, 6.5 V 5 V 350 mW, 375 mW Enhancement