BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors

Ampleon BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors are 200W LDMOS RF power transistors for broadcast transmitters and industrial applications. Suitable for the frequency range HF to 1500MHz, the excellent ruggedness and broadband performance of the BLF647P transistors make them ideal for digital applications. These transistors offer integrated ESD protection, excellent ruggedness, and high power gain/efficiency.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
Ampleon RF MOSFET Transistors BLF647PS/SOT1121/TRAY 46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLF647P/SOT1121/TRAY
236Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors Broadband pwr LDMOS transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel