Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 4.43 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS6H858NLT1G

Nr prod.:

NTMFS6H858NLT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

Karta charakterystyki:

NTMFS6H858NLT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS6H858NLT1G

Na stanie magazynowym: 857

Stany magazynowe:: 857 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,43 zł	4,43 zł
	2,78 zł	27,80 zł
	1,83 zł	183,00 zł
	1,42 zł	710,00 zł
	1,19 zł	1 190,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,10 zł	1 650,00 zł
	1,09 zł	3 270,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	25 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	12 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	42 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	45 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	34 ns
Seria:	NTMFS6H858NL
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS6H858NLT1G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS6H858NL N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS6H858NL N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs in a 5mm x 6mm flat lead package. This power MOSFET features low R_DS(on), low Q_G and capacitance, and logic-level drive capability. The NTMFS6H858NL N-channel power MOSFET operates at 80V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, and -55°C to 175°C operating junction and storage temperature range. This power MOSFET is Pb-free and RoHS-compliant. Typical applications include switching power supplies, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), 48V systems, motor control, load switches, and DC/DC converter.