PXP0 P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) that utilize Trench MOSFET technology. The PXP0 P-Channel comes in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible and use Trench MOSFET technology. Typical applications include high-side load switch, battery management, DC to DC conversion, and switching circuits.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
6 947Oczekiwane: 19.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
6 003Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel