Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DI280N10TL

Name: Diotec Semiconductor DI280N10TL
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI280N10TL
Price: 23.74 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-DI280N10TL

Nr prod.:

DI280N10TL

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

MOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N

Karta charakterystyki:

DI280N10TL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor DI280N10TL

Na stanie magazynowym: 284

Stany magazynowe:: 284

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 4 000

Oczekiwane: 13.02.2026
Średni czas produkcji:: 9

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	23,74 zł	23,74 zł
	18,58 zł	185,80 zł
	11,14 zł	1 114,00 zł
	11,01 zł	5 505,00 zł
	10,71 zł	10 710,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	9,42 zł	18 840,00 zł
	8,86 zł	35 440,00 zł
10 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	280 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.3 V
Qg – ładunek bramki:	122 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	425 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diotec Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	75 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	50 S
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	33 ns
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns
Nazwy umowne nr części:	N-CHANNEL

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DI280N10TL Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Automotive Reverse Polarity Protection Application Note

Images

Models

Product Catalogs

Calm Sea? No Problem for Full Electric Motor Sailboats

Specification Sheets

Full Material Declaration (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI280N10TL N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI280N10TL N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a compact, space-saving HSOF-8 package. It comes with a 280A continuous drain current (I_D) and 375W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 1.6mΩ typical (V_GS=10V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI280N10TL is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, and power tool applications.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.