Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 10.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-TMFS003P03P8ZT1G

Nr prod.:

NTMFS003P03P8ZT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTMFS003P03P8ZT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS003P03P8ZT1G

Na stanie magazynowym: 2 198

Stany magazynowe:: 2 198 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,19 zł	10,19 zł
	6,58 zł	65,80 zł
	4,56 zł	456,00 zł
	3,64 zł	1 820,00 zł
	3,44 zł	3 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	3,44 zł	5 160,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	234 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	277 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	139 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	380 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	116 ns
Seria:	NTMFS003P03P8Z
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	325 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS003P03P8ZT1G Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFS003P03P8Z P-Channel MOSFET

onsemi NTMFS003P03P8Z P-Channel MOSFET is a single, -30V MOSFET available in 5mm x 6mm for space saving and excellent thermal conduction. This P-channel MOSFET features 1.8mΩ ultra-low R_DS(on) to improve system efficiency and -234A drain current. The NTMFS003P03P8Z P-channel MOSFET operates at -55°C to150°C junction and storage temperature range. This MOSFET is a Pb-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS-compliant device. The NTMFS003P03P8Z MOSFET is suitable for power load switch, reverse current protection, over-voltage protection, and reverse negative voltage protection, and battery management.