Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 9.95 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-TMFS003P03P8ZT1G

Nr prod.:

NTMFS003P03P8ZT1G

Produc.:

onsemi

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 1 586 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 44 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,95 zł	9,95 zł
	6,43 zł	64,30 zł
	4,45 zł	445,00 zł
	3,55 zł	1 775,00 zł
	3,36 zł	3 360,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	3,36 zł	5 040,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	234 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	277 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	139 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	MY
Kraj wytworzenia:	TW
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	380 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	116 ns
Seria:	NTMFS003P03P8Z
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	325 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28 ns