TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx65H Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are 650V devices based on third-generation technology utilizing Schottky metal. These components optimize the junction barrier Schottky (JBS) structure of the second-generation products, lowering the electric field at the Schottky interface and reducing leakage current, delivering enhanced efficiency. TRSx65H achieves a 17% lower forward voltage (1.2V typical) and improves trade-offs between the forward voltage and the total capacitive charge (17nC typical) than 2nd-Gen devices. With an enhanced forward voltage and reverse current ratio, a typical 1.1µA insulation resistance is achieved. Other features include forward DC current of up to 12A and square-wave non-repetitive surge currents of up to 640A.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Opakowanie
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Karta charakterystyki
1 935Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Karta charakterystyki
3 968Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Karta charakterystyki
4 476Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 29.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Karta charakterystyki
4 849Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Karta charakterystyki
2 275Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Karta charakterystyki
92Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Karta charakterystyki
224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Karta charakterystyki
172Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Karta charakterystyki
150Oczekiwane: 29.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube