Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RS1G201ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1G201ATTB1
Price: 6.54 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RS1G201ATTB1

Nr prod.:

RS1G201ATTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A

Karta charakterystyki:

RS1G201ATTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1

Na stanie magazynowym: 6 413

Stany magazynowe:: 6 413 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,54 zł	6,54 zł
	6,24 zł	62,40 zł
	5,98 zł	598,00 zł
	5,25 zł	2 625,00 zł
	4,86 zł	4 860,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	4,43 zł	11 075,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOP-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	78 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	130 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	250 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	98 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	330 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns
Nazwy umowne nr części:	RS1G201AT
Jednostka masy:	771,020 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RS1G201ATTB1 Karta charakterystyki

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RS1G201ATTB1 Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 Power MOSFET features Pb-free plating, low on-resistance, and HSOP8 small surface-mount package. This MOSFET operates at -55°C to 150°C temperature range, -40V drain-source voltage, ±80A pulsed drain current, and ±20V gate-source voltage. The RS1G201ATTB1 power MOSFET is ideal for use in load switching.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.