Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFS1D2N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D2N02P1E
Price: 11.09 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFS1D2N02P1E

Nr prod.:

NTTFS1D2N02P1E

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33

Karta charakterystyki:

NTTFS1D2N02P1E Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFS1D2N02P1E

Na stanie magazynowym: 141

Stany magazynowe:: 141

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 6 000

Oczekiwane: 14.04.2026
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,09 zł	11,09 zł
	7,22 zł	72,20 zł
	4,99 zł	499,00 zł
	4,14 zł	2 070,00 zł
	3,77 zł	3 770,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,77 zł	11 310,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PQFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	180 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	24 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	52 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	9.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	224 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	13 ns
Seria:	NTTFS1D2N02P1E
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	38.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24.6 ns
Jednostka masy:	122,136 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFS1D2N02P1E Karta charakterystyki

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET

onsemi NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET is a 1mW, 180A, and 25V N-Channel power MOSFET that offers benefits such as minimized conduction losses and driver losses. onsemi NTTFS1D2N02P1E Power MOSFET comes with low R_DS(on),low Q_G, and capacitance. This N-channel power MOSFET is compact in design with a small footprint of an advanced power 3.3mm × 3.3mm package technology and offers excellent thermal performance. Typical applications include DC-DC converters, power load switches, and secondary rectification.