Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Wyniki: 104
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A, 30 A 11.5 mOhms, 28.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V, 2.4 V 6.6 nC, 10 nC - 55 C + 150 C 16 W, 16.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12 A, 16 A 24 mOhms, 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 12 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 20 W, 33 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 6 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms, 1.17 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 24.5 nC, 100 nC - 55 C + 150 C 38 W, 83 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel