IXYT30N450HV & IXYH30N450HV XPT™ IGBTs

IXYS IXYT30N450HV and IXYH30N450HV High-Voltage XPT™ IGBTs feature a 4.5kV maximum collector-emitter voltage and a 3.9V maximum collector-emitter saturation voltage. IXYS IXYT30N450HV and IXYH30N450HV IGBTs offer a low gate drive requirement and 430W power density. The series is ideal for use in switch-mode and resonant-mode power supplies as well as capacitor discharge circuits, AC switches, and more.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
IXYS IGBTs TO247 4500V 30A IGBT
Karta charakterystyki
1 288Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 60 A 430 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs TO268 4500V 30A XPT
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 03.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 60 A 430 W - 55 C + 150 C Tube