Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFS0D8N02P1ET1G

Name: onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D8N02P1ET1
Price: 15.22 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFS0D8N02P1ET1

Nr prod.:

NTMFS0D8N02P1ET1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs FET 25V 0.8 MOHM SO8FL

Karta charakterystyki:

NTMFS0D8N02P1ET1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G

Na stanie magazynowym: 689

Stany magazynowe:: 689 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 30 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	15,22 zł	15,22 zł
	10,02 zł	100,20 zł
	7,05 zł	705,00 zł
	6,41 zł	3 205,00 zł
	5,93 zł	5 930,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	5,93 zł	8 895,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	365 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	680 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	52 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	139 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTMFS0D8N02P1E
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	175 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFS0D8N02P1ET1G Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFS0D8N02P1E N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET exhibits a compact design, excellent thermal performance, and a small footprint in an advanced SO-8FL 5mm x 6mm package. This single N-channel MOSFET offers low Q_G/capacitance to minimize driver losses and deliver ultra-low R_DS(on) to minimize conduction losses. onsemi NTMFS0D8N02P1E MOSFET is ideal for DC-DC converters, power load switches, motor control, battery management, notebook and desktop PCs, servers, telecom, computing, and communication devices.