TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

Produc.:

Opis:
RF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Qorvo TGS2355

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 50   Wielokrotności: 50
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
686,19 zł 34 309,50 zł
100 Oferta

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
TGS2355-SM
Opakowanie:
Tray
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
996,87 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Układy scalone przełączników RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
Marka: Qorvo
Wysokie napięcie sterujące: - 48 V
Liczba przełączników: Single
Prąd roboczy zasilania: 1 mA
Pd – strata mocy: 36.8 W
Rodzaj produktu: RF Switch ICs
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Nazwy umowne nr części: 1097157
Jednostka masy: 1 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Karta charakterystyki

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.