CMPA2735030S

MACOM
941-CMPA2735030S
CMPA2735030S

Produc.:

Opis:
RF Amplifier MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 40

Stany magazynowe:
40 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 119,20 zł 1 119,20 zł
1 002,50 zł 10 025,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 25)
981,86 zł 24 546,50 zł
100 Oferta

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
MACOM
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
2.7 GHz to 3.5 GHz
28.1 dB
SMD/SMT
QFN-32
GaN
+ 225 C
Reel
Cut Tape
Marka: MACOM
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Pd – strata mocy: 32 W
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 25
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

Wzmacniacz mocy MMIC CMPA2735030S o mocy 30 W z tranzystorem GaN

Oferowany przez firmę Wolfspeed/Cree wzmacniacz CMPA2735030S o mocy 30W z tranzystorami GaN, pracujący w zakresie częstotliwości od 2,7 GHz do 3,5 GHz to monolityczny mikrofalowy układ scalony (MMIC) oparty na tranzystorach o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT). Wzmacniacz CMPA2735030S na bazie tranzystorów wykorzystujących azotek galu (GaN) oferuje wyjątkowe korzyści w porównaniu z tranzystorami krzemowymi lub opartymi na arsenku galu, w tym wyższe napięcie przebicia, większe nasycenie unoszenia elektronów i wyższą przewodność cieplną. Dodatkowo tranzystory GaN HEMT zapewniają większą gęstość mocy i szersze pasma w porównaniu z tranzystorami Si i GaAs.