CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 281.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

94-CLP24H4S30PXY

Nr prod.:

CLP24H4S30PXY

Produc.:

Ampleon

Opis:

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

CLP24H4S30PXY Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Ampleon CLP24H4S30PXY

Na stanie magazynowym: 82

Stany magazynowe:: 82 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	281,11 zł	281,11 zł
	233,65 zł	2 336,50 zł
	221,68 zł	5 542,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
	208,74 zł	20 874,00 zł
	206,35 zł	41 270,00 zł
500	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Ampleon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	774 uA
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, 2 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 2.2 V
Maksymalna temperatura robocza:	+ 225 C
Marka:	Ampleon
Wzmocnienie:	18.4 dB
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	30 W
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	100
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN SiC
Rodzaj:	RF Power MOSFET

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CLP24H4S30PXY Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.