Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu 650 V

Tranzystory mocy MOSFET 650 V firmy Wolfspeed na bazie węglika krzemu oferują niską rezystancję w stanie włączenia układu i niskie straty przy przełączaniu, zapewniając maksymalną wydajność i gęstość mocy. Tranzystory mocy MOSFET 650 V zoptymalizowano pod kątem zastosowania w wysoce wydajnej energoelektronice, na przykład w zasilaczach serwerów, układach ładowania pojazdów elektrycznych, układach magazynowania energii, falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach awaryjnych UPS i systemach zarządzania akumulatorami. W porównaniu z krzemem tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu Wolfspeed 650V umożliwiają zmniejszenie strat przełączania o 75 %, zmniejszenie strat przewodzenia o ½ i trzykrotnie większą gęstość mocy.

Wyniki: 20
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Wolfspeed SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Karta charakterystyki
2 498Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Karta charakterystyki
1 014Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Karta charakterystyki
644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 023Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Karta charakterystyki
1 168Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 285Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Karta charakterystyki
611Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
694Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
267Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
345Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Karta charakterystyki
850Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Karta charakterystyki
1 906Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Karta charakterystyki
1 193Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Karta charakterystyki
1 679Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
419Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
206Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Karta charakterystyki
602Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 25.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement