NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Produc.:

Opis:
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 9 702

Stany magazynowe:
9 702 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
8,00 zł 8,00 zł
5,29 zł 52,90 zł
3,58 zł 358,00 zł
2,85 zł 1 425,00 zł
2,71 zł 2 710,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
2,46 zł 3 690,00 zł
2,33 zł 6 990,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: NTTFS012N10MD
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Technologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.