TGS2355-SM

Qorvo
772-TGS2355-SM
TGS2355-SM

Produc.:

Opis:
RF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Qorvo TGS2355-SM

Na stanie magazynowym: 225

Stany magazynowe:
225 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
973,69 zł 973,69 zł
728,49 zł 18 212,25 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Układy scalone przełączników RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.1 dB
40 dB
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
QFN-32
Si
TGS2355
Tray
Marka: Qorvo
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Wysokie napięcie sterujące: - 48 V
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Liczba przełączników: Single
Prąd roboczy zasilania: 1 mA
Pd – strata mocy: 35 W
Rodzaj produktu: RF Switch ICs
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Nazwy umowne nr części: TGS2355 1097064
Jednostka masy: 5,058 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

TGS2355-SM High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355-SM High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5GHz to 6.0GHz. Fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25), the TGS2355-SM provides up to 100W input power handling with <1.1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. These qualities make the TGS2355-SM GaN Switch ideal for high-power switching applications across both defense and commercial platforms.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.