NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs

Nexperia NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs are silicon carbide (SiC)-based, 1200V power MOSFETs in well-established 4-pin TO-247 plastic packages. These MOSFETs exhibit excellent drain-source on-state resistance temperature stability. The series offers low switching losses, fast reverse recovery, and fast switching speeds. The Nexperia MOSFETs provide faster commutation and improved switching due to the additional Kelvin source pin. The NSF0x120L4A0 modules feature a 22V maximum gate-source voltage, +175°C maximum junction temperature, and EU RoHS compliance. Typical applications include electric vehicle (EV) charging infrastructure, photovoltaic inverters, switched mode power supplies (SMPS), uninterruptable power supply, and motor drives.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału

Nexperia SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Karta charakterystyki
334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Karta charakterystyki
390Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement