Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
IXYS MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL 907Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds 436Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds 3 739Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 595Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
277Oczekiwane: 30.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube