QPA0001 GaN Driver Amplifiers

Qorvo QPA0001 GaN Driver Amplifiers are based on 0.15µm QGaN15 on the SiC process in a 4mm x 3mm x 0.65mm mold-encapsulated QFN package. These amplifiers feature a 8.5GHz to 10.5GHz operating frequency range, 2W saturated output power, 50% power-added efficiency, and 27dB of large signal gain. The QPA0001 amplifiers also feature 33dBm output power, -40°C to 85°C operating temperature range, 16V drain voltage, and 55mA drain current. These amplifiers are ideal for commercial, military radar, and communications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie Rodzaj Styl mocowania Technologia Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Qorvo RF Amplifier X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo RF Amplifier X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
Szpula: 250

QPA0001 Reel