A5G35S008N Airfast RF Power GaN Transistor
NXP Semiconductors A5G35S008N Airfast RF Power GaN Transistor is a 27dBm RF power GaN transistor. It is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3300 to 3800MHz. The device has high terminal impedances for optimal broadband performance.
Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
- Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
- Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
- Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
- Zastosuj jednorazowo jeden filtr
