3300V Single Switch IGBT Modules

Infineon Technologies 3300V Single Switch IGBT Modules offer high DC stability and are an excellent solution for traction and industry applications. The FZ1000R33HE3 is a 1000A, 130mm single-switch IGBT module, and the FZ1500R33HL3 is a 1500A, 190mm single-switch IGBT module.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 3300 V, 825 A single switch IGBT module
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ1500R33HL3
Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 3.3KV 1.5KA
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si SMD/SMT IHVB190
Infineon Technologies IGBT Modules IHV IHM T
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies Diode Modules IHV IHM T
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Diode Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies FZ1600R33HE4BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 3300 V, 1600 A single switch IGBT module
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ2400R33HE4BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 3300 V, 2400 A single switch IGBT module
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ1800R45HL4BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 4500 V, 1800 A single switch IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies FZ1000R33HE3
Infineon Technologies IGBT Modules IGBT 3300V 1000A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 2
Wielokr.: 2

IGBT Modules Si