2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 RF Bipolar Transistors

Toshiba 2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 RF Bipolar Transistors are silicon NPN epitaxial planar transistors with 20V collector-base voltage, 10V or 12V collector-emitter voltage, and 3V emitter-base voltage. They provide capabilities such as low distortion, low noise figure, and high ESD protection, making these devices suitable for creating high-performance designs. Toshiba 2SC5086 / 2SC5087 / 2SC5108 RF Bipolar Transistors are primarily designed for VCO and VHF~UHF band low noise amplifier applications such as terrestrial TV tuners, satellite TV tuners, CATV tuners, DAB systems, FM tuners, and radios.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Seria Rodzaj tranzystora Technologia Polaryzacja tranzystora Częstotliwość robocza Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min. Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Ciągły prąd kolektora Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Konfiguracja Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
Toshiba RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB 867Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba RF Bipolar Transistors Radio-frequency Bipolar Transistor 2 865Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel