BGAV1A10E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGAV1A10E6327XTS
BGAV1A10E6327XTSA1

Produc.:

Opis:
RF Amplifier RF SILICON MMIC

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies BGAV1A10E6327XTSA1

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
Minimum: 4500   Wielokrotności: 4500
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4500)
1,49 zł 6 705,00 zł
1,44 zł 12 960,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
3.4 GHz to 3.8 GHz
1.7 V to 1.9 V
5 mA
22 dB
1.3 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
ATSLP-10-3
Si
3 dBm
32 dBm
- 30 C
+ 85 C
Reel
Marka: Infineon Technologies
Tłumienność odbicia wejścia: 13 dB
Izolacja dB: 32 dB
Liczba kanałów: 1 Channel
Pd – strata mocy: 90 mW
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 4500
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Częstotliwość testowa: 3.5 GHz
Nazwy umowne nr części: BGA V1A10 E6327 SP001628074
Jednostka masy: 2,450 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8537109899
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8537109920
USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.