Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Opakowanie/obudowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module 24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module 11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules
3Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules
3Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 4
Wielokr.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray