Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPB017N10N5LFATMA1

Name: Infineon IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB017N10N5LFATM
Price: 25.33 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPB017N10N5LFATM

Nr prod.:

IPB017N10N5LFATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

Karta charakterystyki:

IPB017N10N5LFATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1

Na stanie magazynowym: 239

Stany magazynowe:: 239

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 000

Oczekiwane: 18.03.2026

6 000

Oczekiwane: 28.05.2026
Średni czas produkcji:: 16

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	25,33 zł	25,33 zł
	17,07 zł	170,70 zł
	12,64 zł	1 264,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	10,75 zł	10 750,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	180 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	210 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	27 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	132 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	23 ns
Seria:	OptiMOS 5
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	80 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	33 ns
Nazwy umowne nr części:	IPB017N10N5LF SP001503850
Jednostka masy:	1,600 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Solutions for Light Electric Vehicles (LEV)

Infineon Technologies Solutions for Light Electric Vehicles (LEV) have world-changing potential utilizing the emission-free solution for rising megacities. LEVs apply new technology enabling greater power efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost solutions. LEVs cost less when compared to gasoline or battery powered EVs, making them affordable and hence attractive to emerging markets, where a transition to electrified mobility is in progress.