Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 4.91 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

583-RM10N100LDV-T

Nr prod.:

RM10N100LDV-T

Produc.:

Rectron

Opis:

MOSFETs

Karta charakterystyki:

RM10N100LDV-T Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Rectron RM10N100LDV-T

Na stanie magazynowym: 1 384

Stany magazynowe:: 1 384 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,91 zł	4,91 zł
	3,02 zł	30,20 zł
	1,99 zł	199,00 zł
	1,57 zł	785,00 zł
	1,37 zł	1 370,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,17 zł	2 925,00 zł
	1,07 zł	5 350,00 zł
	1,03 zł	10 300,00 zł
	1,01 zł	25 250,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Rectron
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-2
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	130 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	21.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Rectron
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9.1 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	3.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RM10N100LDV-T Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.