Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVTFWS002N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS002N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS002N04XMTAG
Price: 6.36 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-VTFWS002N04XMTAG

Nr prod.:

NVTFWS002N04XMTAG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVTFWS002N04XMTAG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVTFWS002N04XMTAG

Na stanie magazynowym: 4 500

Stany magazynowe:: 4 500 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,36 zł	6,36 zł
	4,07 zł	40,70 zł
	2,69 zł	269,00 zł
	2,21 zł	1 105,00 zł
	1,93 zł	1 930,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,77 zł	2 655,00 zł
	1,61 zł	4 830,00 zł
	1,60 zł	14 400,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WDFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	114 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.45 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	22 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	62 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	59 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Seria:	NVTFWS002N04XM
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVTFWS002N04XMTAG Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS002N04XM MOSFET

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET features a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 114A continuous drain current, and 2.45m at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET is available in a µ8FL 3.3mm x 3.3mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.