Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Karta charakterystyki
6 683Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Karta charakterystyki
6 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel