Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTT2016N065M3S

Name: onsemi NTT2016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTT2016N065M3S
Price: 35.99 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTT2016N065M3S

Nr prod.:

NTT2016N065M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs EliteSiC, 16 mohm, 650 V, M3S,T2PAK industrial grade

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTT2016N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTT2016N065M3S

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

4 000

Termin wysyłki - 20 dzień/dni
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 600

Oczekiwane: 17.02.2026
Średni czas produkcji:: 16

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	35,99 zł	35,99 zł
	27,31 zł	273,10 zł
	22,75 zł	2 275,00 zł
	20,25 zł	10 125,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	18,92 zł	15 136,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	T2PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	85 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	23.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	100 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	333 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10.5 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	54 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTT2016N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.